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IRL3714PBF备选型号: IRL3714ZPBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRL3714PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    20MOhm
    175°C
    -55°C
    20V
    36A
    Single
    43W
    8.7 ns
    N-Channel
    20mOhm @ 18A, 10V
    3V @ 250μA
    670pF @ 10V
    9.7nC @ 4.5V
    78ns
    20V
    ±20V
    4.5 ns
    36A
    3V
    20V
    20V
    670pF
    28mOhm
    20 mΩ
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL3714ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2001
    HEXFET®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    175°C
    -55°C
    20V
    36A
    -
    35W
    6 ns
    N-Channel
    16mOhm @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    550pF @ 10V
    7.2nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    ±20V
    5 ns
    36A
    2.1V
    20V
    20V
    550pF
    26mOhm
    16 mΩ
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无
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