Infineon Technologies IRL3714PBF
- 收藏
- 对比
IRL3714PBF
1211-IRL3714PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
1最小包装量--
IRL3714PBF详情
Infineon Technologies IRL3714PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
36A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
47W Tc
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2004
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
20MOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
36A
元素配置
Single
功率耗散
43W
接通延迟时间
8.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
670pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.7nC @ 4.5V
上升时间
78ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
36A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
输入电容
670pF
漏源电阻
28mOhm
最大rds
20 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL3714PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。