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IRL3714ZSTRLPBF备选型号: IPB147N03LGATMA1
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 终端形式
- 引脚数量
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- 配置
- 操作模式
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- 辐射硬化
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB336A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)EAR99Single35WN-Channel16m Ω @ 15A, 10V2.55V @ 250μA550pF @ 10V7.2nC @ 4.5V13ns±20V5 ns36A20V20V符合RoHS标准------------------ Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-20A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011Obsolete1 (Unlimited)EAR99-31WN-Channel14.7m Ω @ 20A, 10V2.2V @ 250μA1000pF @ 15V10nC @ 10V2.4ns±20V2 ns20A20V-符合RoHS标准SILICONno2AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE鸥翼4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN3.1 nsSWITCHING30V30V20 mJ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL3715SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK | 对比 |
| IPB147N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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