IRL3715ZPBF备选型号: IRL3714ZPBF

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  • 电阻
  • 最高工作温度
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    11MOhm
    175°C
    -55°C
    20V
    50A
    45W
    7.1 ns
    N-Channel
    11mOhm @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    870pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    44ns
    20V
    ±20V
    4.6 ns
    50A
    2.1V
    20V
    20V
    870pF
    14 ns
    15.5mOhm
    11 mΩ
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    175°C
    -55°C
    20V
    36A
    35W
    6 ns
    N-Channel
    16mOhm @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    550pF @ 10V
    7.2nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    ±20V
    5 ns
    36A
    2.1V
    20V
    20V
    550pF
    -
    26mOhm
    16 mΩ
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
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