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首页 全部分类 IRL3715ZPBF vs NTP65N02R

IRL3715ZPBF备选型号: NTP65N02R

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 恢复时间
  • 漏源电阻
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    IRL3715ZPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    11MOhm
    175°C
    -55°C
    20V
    50A
    45W
    7.1 ns
    N-Channel
    11mOhm @ 15A, 10V
    2.55V @ 250μA
    870pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    44ns
    20V
    ±20V
    4.6 ns
    50A
    2.1V
    20V
    20V
    870pF
    14 ns
    15.5mOhm
    11 mΩ
    8.77mm
    10.54mm
    4.69mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTP65N02R
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    7.6A Ta 58A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    24V
    65A
    62.5W
    -
    N-Channel
    10.5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1330pF @ 20V
    9.5nC @ 4.5V
    53ns
    25V
    ±20V
    10 ns
    58A
    -
    20V
    24V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    SILICON
    e0
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.29.00.95
    240
    not_compliant
    30
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    7.6A
    0.0105Ohm
    160A
    60 mJ
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