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IRL7833STRRPBF备选型号: FDB8870

IRL7833STRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK

表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
D2PAK
150A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
2004
Obsolete
1 (Unlimited)
3.8MOhm
175°C
-55°C
Single
140W
18 ns
N-Channel
3.8mOhm @ 38A, 10V
2.3V @ 250μA
4170pF @ 15V
47nC @ 4.5V
50ns
30V
±20V
6.9 ns
150A
20V
30V
4.17nF
3.8mOhm
3.8 mΩ
2.3 V
4.826mm
10.668mm
9.65mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
FDB8870

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R

表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
-
23A Ta 160A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
-
活跃
1 (Unlimited)
-
-
-
Single
160W
10 ns
N-Channel
3.9m Ω @ 35A, 10V
2.5V @ 250μA
5200pF @ 15V
132nC @ 10V
98ns
-
±20V
47 ns
35A
20V
30V
-
-
-
-
-
-
-
-
无
ROHS3 Compliant
无铅
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
10 Weeks
1.31247g
SILICON
e3
yes
2
EAR99
Tin (Sn)
30V
鸥翼
160A
R-PSSO-G2
增强型MOSFET
DRAIN
SWITCHING
0.0044Ohm
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