IRL7833STRRPBF备选型号: IRF1503SPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 正向电压
- MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3D2PAK150A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004Obsolete1 (Unlimited)3.8MOhm175°C-55°CSingle140W18 nsN-Channel3.8mOhm @ 38A, 10V2.3V @ 250μA4170pF @ 15V47nC @ 4.5V50ns30V±20V6.9 ns150A20V30V4.17nF3.8mOhm3.8 mΩ2.3 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无符合RoHS标准无铅-----
- MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-1-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010Discontinued1 (Unlimited)3.3MOhm--Single200W17 nsN-Channel3.3m Ω @ 140A, 10V4V @ 250μA5730pF @ 25V200nC @ 10V130ns-±20V48 ns75A20V30V---4 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅14 WeeksEAR9930V75A1.3V
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL2203NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | 对比 |
![]() | FDB8870 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IRF1503SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | 对比 |




哦! 它是空的。