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IRLB3034PBF备选型号: FDP8870

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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
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  • 高度
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  • 宽度
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  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 箱体转运
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLB3034PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.7MOhm
    未说明
    未说明
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    65 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 195A, 10V
    2.5V @ 250μA
    10315pF @ 25V
    162nC @ 4.5V
    827ns
    ±20V
    355 ns
    195A
    2.5V
    TO-220AB
    20V
    40V
    255 mJ
    175°C
    19.8mm
    10.5156mm
    4.699mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP8870
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    10 Weeks
    通孔
    -
    TO-220AB
    3
    -
    1
    -
    Tube
    -
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    4.1MOhm
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    11 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    105ns
    -
    46 ns
    156A
    2.5V
    -
    20V
    30V
    -
    -
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    1.8g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    30V
    160W
    160A
    DRAIN
    30V
    N-CHANNEL
    5.2nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    4.1mOhm
    4.1 mΩ
    2.5 V
    无
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