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首页 全部分类 IRLB3034PBF vs IRFB7434PBF

IRLB3034PBF备选型号: IRFB7434PBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 箱体转运
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLB3034PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.7MOhm
    未说明
    未说明
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    65 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 195A, 10V
    2.5V @ 250μA
    10315pF @ 25V
    162nC @ 4.5V
    827ns
    ±20V
    355 ns
    195A
    2.5V
    TO-220AB
    20V
    40V
    255 mJ
    175°C
    19.8mm
    10.5156mm
    4.699mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB7434PBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 324 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.6MOhm
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    294W
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6m Ω @ 100A, 10V
    3.9V @ 250μA
    10820pF @ 25V
    324nC @ 10V
    68ns
    ±20V
    -
    195A
    3V
    TO-220AB
    20V
    40V
    490 mJ
    -
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DRAIN
    38 ns
    3 V
    无
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