IRLB4132PBF备选型号: IPP80N03S4L04AKSA1

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 78A TO220
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    3.5mOhm
    未说明
    未说明
    N-Channel
    3.5m Ω @ 40A, 10V
    2.35V @ 100μA
    5110pF @ 15V
    54nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    78A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    N-Channel
    3.7m Ω @ 80A, 10V
    2.2V @ 45μA
    5100pF @ 25V
    75nC @ 10V
    -
    ±16V
    80A
    符合RoHS标准
    含铅
    3
    SILICON
    3
    超低电阻
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    无卤素
    6ns
    7 ns
    TO-220AB
    16V
    30V
    95 mJ
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