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IRLB4132PBF备选型号: IRFB7545PBF
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
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- 引脚数
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
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MOSFET N-CH 30V 78A TO22012 Weeks通孔通孔TO-220-378A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2009活跃1 (Unlimited)EAR993.5mOhm未说明未说明N-Channel3.5m Ω @ 40A, 10V2.35V @ 100μA5110pF @ 15V54nC @ 4.5V30V±20V78AROHS3 Compliant无铅--------------- MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB12 Weeks通孔通孔TO-220-395A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®, StrongIRFET™2008活跃1 (Unlimited)EAR99-未说明未说明N-Channel5.9m Ω @ 57A, 10V3.7V @ 100μA4010pF @ 25V110nC @ 10V60V±20V95AROHS3 Compliant无铅36.000006g1Single125W12 ns72ns43 ns3.7V20V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP160N3LL | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB | 对比 |
 | IPP80N03S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | 对比 |
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 184A TO220 | 对比 |
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