IRLHM620TR2PBF备选型号: IRFH5015TR2PBF
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- 底架
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电阻
- 元素配置
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V 26A PQFN表面贴装表面贴装8-VQFN Exposed Pad8PQFN (3x3)26A Ta 40A TcCut Tape (CT)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C2.7W12.7W7.5 nsN-Channel2.5mOhm @ 20A, 4.5V1.1V @ 50μA3620pF @ 10V78nC @ 4.5V25ns20V37 ns26A800mV12V20V3.62nF62 ns150°C1.8mOhm2.5 mΩ800 mV900μm3.2766mm3.3mm无SVHC无符合RoHS标准---
- MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN表面贴装表面贴装8-PowerVDFN88-PQFN (5x6)10A Ta 56A TcCut Tape (CT)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C3.6W-3.6W9.4 nsN-Channel31mOhm @ 34A, 10V5V @ 150μA2300pF @ 50V50nC @ 10V9.7ns150V3.4 ns56A5V20V150V2.3nF78 ns-31mOhm31 mΩ5 V990.6μm6.1468mm5.15mm无SVHC-符合RoHS标准31MOhmSingle无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH5015TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 对比 |
![]() | IRLHS6276TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VQFN | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | 对比 |
![]() | IRLHM630TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-VQFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 对比 |





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