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IRLHM620TR2PBF备选型号: IRLHM630TR2PBF

IRLHM620TR2PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN

表面贴装
表面贴装
8-VQFN Exposed Pad
8
PQFN (3x3)
26A Ta 40A Tc
Cut Tape (CT)
HEXFET®
2013
Obsolete
1 (Unlimited)
150°C
-55°C
2.7W
1
2.7W
7.5 ns
N-Channel
2.5mOhm @ 20A, 4.5V
1.1V @ 50μA
3620pF @ 10V
78nC @ 4.5V
25ns
20V
37 ns
26A
800mV
12V
20V
3.62nF
62 ns
150°C
1.8mOhm
2.5 mΩ
800 mV
900μm
3.2766mm
3.3mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
-
IRLHM630TR2PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

表面贴装
表面贴装
8-VQFN Exposed Pad
8
-
21A Ta 40A Tc
Cut Tape (CT)
HEXFET®
2013
Obsolete
1 (Unlimited)
150°C
-55°C
2.7W
-
37W
9.1 ns
N-Channel
3.5m Ω @ 20A, 4.5V
1.1V @ 50μA
3170pF @ 25V
62nC @ 4.5V
32ns
-
43 ns
21A
-
12V
30V
-
30 ns
-
-
-
800 mV
990.6μm
3.2766mm
3.3mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
EAR99
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