IRLHM630TR2PBF备选型号:
IRFHM830DTRPBF
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终止次数
- 电阻
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Vgs（最大值）
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 无铅
-
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
表面贴装
表面贴装
8-VQFN Exposed Pad
8
21A Ta 40A Tc
Cut Tape (CT)
HEXFET®
2013
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
150°C
-55°C
2.7W
37W
9.1 ns
N-Channel
3.5m Ω @ 20A, 4.5V
1.1V @ 50μA
3170pF @ 25V
62nC @ 4.5V
32ns
43 ns
21A
12V
30V
30 ns
800 mV
990.6μm
3.2766mm
3.3mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
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MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
表面贴装
表面贴装
8-VQFN Exposed Pad
8
20A Ta 40A Tc
Tape & Reel (TR)
HEXFET®
2010
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
-
-
-
2.8W
9.8 ns
N-Channel
4.3m Ω @ 20A, 10V
2.35V @ 50μA
1797pF @ 25V
27nC @ 10V
20ns
6.7 ns
20A
20V
30V
-
1.8 V
990.6μm
3.2766mm
3.3mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
14 Weeks
SILICON
-55°C~150°C TJ
5
7.1MOhm
DUAL
S-PDSO-N5
Single
增强型MOSFET
DRAIN
SWITCHING
±20V
1.8V
40A
无铅
-
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0755-83328606
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN表面贴装表面贴装8-VQFN Exposed Pad821A Ta 40A TcCut Tape (CT)HEXFET®2013Obsolete1 (Unlimited)EAR99150°C-55°C2.7W37W9.1 nsN-Channel3.5m Ω @ 20A, 4.5V1.1V @ 50μA3170pF @ 25V62nC @ 4.5V32ns43 ns21A12V30V30 ns800 mV990.6μm3.2766mm3.3mm无SVHC无符合RoHS标准---------------
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