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首页 全部分类 IRLI2910PBF vs FQPF70N10

IRLI2910PBF备选型号: FQPF70N10

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
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  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • Infineon Technologies
    IRLI2910PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    30mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    100V
    27A
    Single
    增强型MOSFET
    63W
    ISOLATED
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 16A, 10V
    2V @ 250μA
    3700pF @ 25V
    140nC @ 5V
    100ns
    ±16V
    55 ns
    31A
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    100V
    520 mJ
    2.5kV
    2 V
    9.8044mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF70N10
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3 Tab) TO-220F Rail
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    23MOhm
    -
    100V
    35A
    Single
    增强型MOSFET
    62W
    ISOLATED
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 17.5A, 10V
    4V @ 250μA
    3300pF @ 25V
    110nC @ 10V
    470ns
    ±25V
    160 ns
    35A
    -
    -
    25V
    100V
    -
    -
    -
    -
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2.27g
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    不合格
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