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首页 全部分类 IRLI2910PBF vs IRFI4510GPBF

IRLI2910PBF备选型号: IRFI4510GPBF

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 隔离电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 端子位置
  • 配置
  • Infineon Technologies
    IRLI2910PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    31A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    30mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    100V
    27A
    Single
    增强型MOSFET
    63W
    ISOLATED
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 16A, 10V
    2V @ 250μA
    3700pF @ 25V
    140nC @ 5V
    100ns
    ±16V
    55 ns
    31A
    2V
    TO-220AB
    16V
    100V
    100V
    520 mJ
    2.5kV
    2 V
    9.8044mm
    10.6172mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI4510GPBF
    Infineon Technologies
    IRFI4510GPBF N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-220FP Infineon
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    42W
    ISOLATED
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 100μA
    2998pF @ 50V
    81nC @ 10V
    33ns
    ±20V
    37 ns
    35A
    2V
    TO-220AB
    20V
    100V
    -
    206 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.000006g
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
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