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首页 全部分类 IRLML5103TRPBF vs IRLML2803GTRPBF

IRLML5103TRPBF备选型号: IRLML2803GTRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
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  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 电容-输入
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLML5103TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    Micro(SOT23)
    760mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    600mOhm
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -610mA
    30
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    540mW
    10 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 600mA, 10V
    1V @ 250μA
    75pF @ 25V
    5.1nC @ 10V
    8.2ns
    ±20V
    16 ns
    -760mA
    -1V
    20V
    0.76A
    -30V
    -30V
    -1 V
    30V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon
    IRLML2803GTRPBF
    Infineon
    -
    表面贴装
    -
    SOT-23
    3
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    e3
    -
    1 (Unlimited)
    3
    -
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    540mW
    3.9 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    4ns
    -
    1.7 ns
    1.2A
    -
    20V
    -
    30V
    -
    1 V
    -
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    150°C
    -55°C
    8541.21.00.95
    30V
    N-CHANNEL
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    250mOhm
    250 mΩ
    85pF
    无
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