ON Semiconductor CPH3360-TL-W

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

900mW Ta

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

303m Ω @ 800mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

82pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.2nC @ 10V

上升时间

3.3ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.4 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

阈值电压

-2.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅