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首页 全部分类 IRLMS1902TRPBF vs IRLMS6702TRPBF

IRLMS1902TRPBF备选型号: IRLMS6702TRPBF

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  • 终端形式
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Infineon Technologies
    IRLMS1902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    3
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    10Ohm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    20V
    DUAL
    鸥翼
    3.2A
    R-PDSO-G6
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    300pF @ 15V
    7nC @ 4.5V
    11ns
    ±12V
    4 ns
    3.2A
    700mV
    12V
    20V
    700 mV
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS6702TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    2.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    200mOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -2.3A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    13 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 1.6A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    210pF @ 15V
    8.8nC @ 4.5V
    20ns
    ±12V
    18 ns
    -2.4A
    -700mV
    12V
    -20V
    -
    1.4478mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    20V
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