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IRLR3303PBF备选型号: FDMS7670AS

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  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IRLR3303PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    D-Pak
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    31mOhm
    175°C
    -55°C
    30V
    35A
    Single
    57W
    N-Channel
    31mOhm @ 21A, 10V
    1V @ 250μA
    870pF @ 25V
    26nC @ 4.5V
    200ns
    30V
    ±16V
    36 ns
    35A
    16V
    30V
    30V
    870pF
    110 ns
    45mOhm
    31 mΩ
    1 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7670AS
    ON Semiconductor
    MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    22A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3MOhm
    -
    -
    -
    -
    Single
    65W
    N-Channel
    3m Ω @ 21A, 10V
    3V @ 1mA
    4225pF @ 15V
    66nC @ 10V
    6ns
    -
    ±20V
    5 ns
    42A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6 V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    68.1mg
    SILICON
    e3
    yes
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    增强型MOSFET
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    1.6V
    MO-240AA
    22A
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无
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