Infineon Technologies IRLR3303PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

68W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

31mOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

35A

元素配置

Single

功率耗散

57W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

31mOhm @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 4.5V

上升时间

200ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

36 ns

连续放电电流(ID)

35A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

870pF

恢复时间

110 ns

漏源电阻

45mOhm

最大rds

31 mΩ

栅源电压

1 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅