IRLR8726TRLPBF备选型号: IRFR3707PBF

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
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  • 供应商器件包装
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    D-Pak
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    75W
    12 ns
    N-Channel
    5.8mOhm @ 25A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    49ns
    30V
    ±20V
    16 ns
    86A
    12V
    30V
    2.15nF
    5.8mOhm
    5.8 mΩ
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    D-Pak
    61A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    87W
    8.5 ns
    N-Channel
    13mOhm @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    1990pF @ 15V
    19nC @ 4.5V
    78ns
    30V
    ±20V
    3.3 ns
    61A
    20V
    30V
    1.99nF
    17.5mOhm
    13 mΩ
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    13MOhm
    30V
    61A
    无铅
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