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首页 全部分类 IRLR8726TRLPBF vs NTD85N02RT4

IRLR8726TRLPBF备选型号: NTD85N02RT4

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  • 电压 - 额定直流
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  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
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  • Infineon Technologies
    IRLR8726TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    D-Pak
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    75W
    12 ns
    N-Channel
    5.8mOhm @ 25A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    49ns
    30V
    ±20V
    16 ns
    86A
    12V
    30V
    2.15nF
    5.8mOhm
    5.8 mΩ
    2.26mm
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    -
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  • ON Semiconductor
    NTD85N02RT4
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    12A Ta 85A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    2.4W
    -
    N-Channel
    5.2m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    2050pF @ 20V
    17.7nC @ 5V
    77ns
    -
    ±20V
    12 ns
    85A
    20V
    24V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    SILICON
    e0
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.29.00.95
    24V
    鸥翼
    240
    not_compliant
    85A
    30
    3
    R-PSSO-G2
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    12A
    0.0052Ohm
    192A
    85 mJ
    含铅
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