IS42RM32160E-75BL备选型号: IS42SM32160E-75BLI
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- 工厂交货时间
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- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 端子间距
- 最大电流源
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR12 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile120mA0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)90AUTO/SELF REFRESH2.5VBOTTOM10.8mm80mA512Mb 16M x 321SYNCHRONOUS133MHz6nsDRAMParallel32b16MX323215b512 Mb3V2.3V13mm1.2mmROHS3 Compliant
- DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA12 Weeks表面贴装表面贴装90-TFBGA90Volatile120mA-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)90AUTO/SELF REFRESH3.3VBOTTOM10.8mm120mA512Mb 16M x 321SYNCHRONOUS133MHz6nsDRAMParallel32b16MX323215b512 Mb3.6V2.7V13mm1.2mmROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR32160C-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR | 对比 | |
| IS42VM32160D-75BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 90-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin WBGA | 对比 |


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