IS42S16320B-7BL备选型号: 71V416L15BEG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 最大电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 工厂交货时间
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 器件厚度
- 无铅
- DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin WBGA54-TFBGA表面贴装表面贴装54VolatileTray0°C~70°C TAe1yesObsolete3 (168 Hours)54EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESH3V~3.6VBOTTOM26013.3V0.8mm10543.3V3.6V3V512Mb 32M x 161150mA150mA143MHz5.4nsDRAMParallel16b32MX163-STATE15b512 Mb0.004ACOMMON8192800μm13mm11mm符合RoHS标准无--------------
- SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 15ns 48-Pin CABGA Tube/TrayTFBGA-表面贴装48RAM, SDR, SRAM - Asynchronous--e1yes活跃3 (168 Hours)48-Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)--BOTTOM26013.3V0.75mm-483.3V--512kB1160mA--15 ns----3-STATE18b4 Mb-COMMON--9mm9mm符合RoHS标准无12 Weeks201270°C0°CBALLINDUSTRIALParallel3.6V3VAsynchronous16b3V1.2mm无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16160G-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 | |
| IS42S16400J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 | |
![]() | 71V416L15BEG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 15ns 48-Pin CABGA Tube/Tray | 对比 |



哦! 它是空的。