IS43DR81280B-3DBL备选型号: N02L63W3AB25I
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- 无铅
- DRAM 1G (128Mx8) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装60-TFBGA60Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)60EAR99AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.321.7V~1.9VBOTTOM11.8V0.8mm不合格1.8V1.9V1.7V1Gb 128M x 81220mASYNCHRONOUS333MHz450psDRAMParallel8b128MX83-STATE815ns17b1 GbCOMMON8192484810.5mm1.2mmROHS3 Compliant--------
- IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA-表面贴装表面贴装48-LFBGA48Volatile-40°C~85°C TATrayObsolete3 (168 Hours)48---2.3V~3.6VBOTTOM13V0.75mm不合格3V3.6V-2Mb 128K x 16116mA---SRAMParallel--3-STATE1655ns17b2 MbCOMMON---8mm-符合RoHS标准2008N02L63W3A4814MHz70 nsAsynchronous16b无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | N02L63W3AB25IT | ON Semiconductor | 存储器 | 48-LFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA | 对比 |
![]() | IS66WVC4M16ALL-7010BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-VFBGA | SRAM 64Mb 1.54M x 16 70ns Pseudo SRAM | 对比 |
![]() | N02L63W3AB25I | ON Semiconductor | 存储器 | 48-LFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA | 对比 |





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