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首页 全部分类 IS43R32400E-5BL vs 71V3577S75BQG

IS43R32400E-5BL备选型号: 71V3577S75BQG

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  • 顺序突发长度
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  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 同步/异步
  • 字长
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43R32400E-5BL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 128M (4Mx32) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    144-LFBGA
    144
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    144
    AUTO/SELF REFRESH
    2.3V~2.7V
    BOTTOM
    1
    2.5V
    0.8mm
    不合格
    2.5V
    2.7V
    2.3V
    128Mb 4M x 32
    1
    240mA
    SYNCHRONOUS
    200MHz
    700ps
    DRAM
    Parallel
    32b
    4MX32
    3-STATE
    32
    15ns
    14b
    128 Mb
    0.005A
    COMMON
    4096
    248
    248
    12mm
    1.4mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    71V3577S75BQG
    Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 7.5ns 165-Pin FBGA Tube/Tray
    11 Weeks
    表面贴装
    -
    FBGA
    165
    117MHz
    -
    Bulk
    活跃
    3 (168 Hours)
    165
    流线型结构
    -
    BOTTOM
    1
    3.3V
    -
    -
    3.3V
    -
    -
    512kB
    1
    255mA
    -
    -
    7.5 ns
    -
    -
    -
    -
    3-STATE
    -
    -
    17b
    4.5 Mb
    0.03A
    COMMON
    -
    -
    -
    15mm
    -
    符合RoHS标准
    2005
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    70°C
    0°C
    BALL
    260
    117MHz
    30
    165
    COMMERCIAL
    Parallel
    3.465V
    3.135V
    Synchronous
    36b
    13mm
    1.2mm
    无
    无铅
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