IS43R32400E-5BL备选型号: IS43R32800D-5BLI
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- ECCN 代码
- HTS代码
- 引脚数量
- 辐射硬化
- DRAM 128M (4Mx32) 200MHz 2.5v DDR SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装144-LFBGA144Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)144AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VBOTTOM12.5V0.8mm不合格2.5V2.7V2.3V128Mb 4M x 321240mASYNCHRONOUS200MHz700psDRAMParallel32b4MX323-STATE3215ns14b128 Mb0.005ACOMMON409624824812mm1.4mmROHS3 Compliant----
- DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM8 Weeks表面贴装表面贴装144-LFBGA144Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)144AUTO/SELF REFRESH2.3V~2.7VBOTTOM12.5V0.8mm-2.5V2.7V2.3V256Mb 8M x 321480mA-200MHz700psDRAMParallel32b8MX323-STATE3215ns14b256 Mb0.005ACOMMON409624824812mm1.4mmROHS3 CompliantEAR998542.32.00.24144无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61NLP25636A-200B3I | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TFBGA | IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
![]() | 71V35761SA166BQGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | FBGA | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.5ns 165-Pin FBGA | 对比 |
![]() | 71V3577S75BQG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | FBGA | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 7.5ns 165-Pin FBGA Tube/Tray | 对比 |




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