IS49NLC36800-33BL备选型号: 71V35761SA200BG
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- ECCN 代码
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 记忆密度
- 最高频率
- I/O类型
- 顺序突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 电源电流
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 宽度
- 器件厚度
- 无铅
- DRAM 288Mbit x36 Common I/O 300MHz RLDRAM2表面贴装144-TFBGAYES144Volatile0°C~70°C TATray活跃3 (168 Hours)144EAR99自动刷新8542.32.00.281.7V~1.9VBOTTOM11.8V1mm144不合格1.9V1.5/1.81.82.5V1.7V288Mb 8M x 361SYNCHRONOUS20nsDRAMParallel36b8MX363-STATE36301989888 bit300MHzCOMMON24818.5mm1.2mmROHS3 Compliant--------------------------
- SRAM 4M 3.3V I/O PBSRM FAST X3-BGA-119200MHz--活跃3 (168 Hours)119-流水线结构--BOTTOM13.3V-119不合格---512kB1-3.1 ns----3-STATE---COMMON-14mm2.36mm符合RoHS标准7 Weeks表面贴装2009e0noTin/Lead (Sn63Pb37)70°C0°CBALL225200MHz203.3VCOMMERCIALParallel3.465V3.135V360mA17b4.5 Mb0.03ASynchronous36b22mm2.15mm含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61LPS25636A-200B3LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 165-TBGA | IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA | 对比 | |
![]() | 71V35761SA200BG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM 4M 3.3V I/O PBSRM FAST X3 | 对比 |
![]() | 71V35761SA166BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.5ns 119-Pin BGA | 对比 |




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