IS61LF102418A-7.5B3备选型号: 71T75902S75BGG

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 温度等级
  • 界面
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 同步/异步
  • 字长
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
    表面贴装
    165-TBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e0
    no
    Obsolete
    2 (1 Year)
    165
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH
    3.135V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    1mm
    165
    3.3V
    3.465V
    3.135V
    18Mb 1M x 18
    2
    117MHz
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    3-STATE
    18
    20b
    18 Mb
    0.06A
    COMMON
    3.14V
    15mm
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 7.5ns 119-Pin BGA
    -
    BGA
    -
    119
    100MHz
    -
    -
    e1
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    -
    BOTTOM
    1
    2.5V
    -
    119
    2.5V
    -
    -
    2.3MB
    1
    -
    7.5 ns
    -
    -
    -
    3-STATE
    -
    20b
    18 Mb
    0.04A
    COMMON
    2.38V
    14mm
    符合RoHS标准
    8 Weeks
    表面贴装
    2005
    70°C
    0°C
    BALL
    260
    100MHz
    30
    INDUSTRIAL
    Parallel
    2.625V
    2.375V
    275mA
    Synchronous
    18b
    2.36mm
    22mm
    2.15mm
    无铅
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