IS61LF102418A-7.5B3备选型号: CY7C1371D-133BGC
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 底架
- 系列
- 已出版
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 电源电流
- 同步/异步
- 字长
- 无铅
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA表面贴装165-TBGAYES165Volatile0°C~70°C TATraye0noObsolete2 (1 Year)165Tin/Lead (Sn/Pb)PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH3.135V~3.6VBOTTOM13.3V1mm1653.3V3.465V3.135V18Mb 1M x 182117MHz7.5nsSRAMParallel1MX183-STATE1820b18 Mb0.06ACOMMON3.14V15mm无Non-RoHS Compliant----------
- IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA表面贴装119-BGA-119Volatile0°C~70°C TATraye0noObsolete3 (168 Hours)119Tin/Lead (Sn/Pb)FLOW-THROUGH ARCHITECTURE3.135V~3.6VBOTTOM13.3V1.27mm1193.3V3.6V3.135V18Mb 512K x 364133MHz6.5nsSRAMParallel512KX363-STATE3619b18 Mb0.07ACOMMON-22mm无Non-RoHS Compliant表面贴装NoBL™20043A991.B.2.A220CY7C1371210mASynchronous36b含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1371D-133BGC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 119-BGA | IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA | 对比 |
![]() | 71T75902S75BG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 7.5ns 119-Pin BGA T/R | 对比 |
![]() | 71T75902S75BGG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | BGA | SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 7.5ns 119-Pin BGA | 对比 |





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