IS61LF102418A-7.5B3备选型号: CY7C1371D-133BGC

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 底架
  • 系列
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 基本部件号
  • 电源电流
  • 同步/异步
  • 字长
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
    表面贴装
    165-TBGA
    YES
    165
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e0
    no
    Obsolete
    2 (1 Year)
    165
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW-THROUGH
    3.135V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    1mm
    165
    3.3V
    3.465V
    3.135V
    18Mb 1M x 18
    2
    117MHz
    7.5ns
    SRAM
    Parallel
    1MX18
    3-STATE
    18
    20b
    18 Mb
    0.06A
    COMMON
    3.14V
    15mm
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
    表面贴装
    119-BGA
    -
    119
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    e0
    no
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    119
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
    3.135V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    1.27mm
    119
    3.3V
    3.6V
    3.135V
    18Mb 512K x 36
    4
    133MHz
    6.5ns
    SRAM
    Parallel
    512KX36
    3-STATE
    36
    19b
    18 Mb
    0.07A
    COMMON
    -
    22mm
    Non-RoHS Compliant
    表面贴装
    NoBL™
    2004
    3A991.B.2.A
    220
    CY7C1371
    210mA
    Synchronous
    36b
    含铅
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71T75902S75BGG 71T75902S75BGG Integrated Device Technology (IDT) 存储器 BGA SRAM Chip Sync Single 2.5V 18M-Bit 1M x 18 7.5ns 119-Pin BGA 对比