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IS61LF51236B-6.5TQLI-TR备选型号: IS61LPS51236B-200TQLI
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- 包装
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
- 电压 - 供电 （最大值）
- 电压 - 供电 （最小值）
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 表面安装
- 引脚数
- 端口的数量
- 地址总线宽度
- 密度
IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP12 Weeks通孔表面贴装100-LQFPVolatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)yes活跃3 (168 Hours)100FLOW-THROUGH3.3VQUAD未说明10.65mm未说明R-PQFP-G10018Mb 512K x 36133MHz6.5nsSRAMParallel512KX363618874368 bit3.465V3.135V20mm1.6mm14mmROHS3 Compliant------ IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP12 Weeks-表面贴装100-LQFPVolatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)100-3.3VQUAD未说明10.65mm未说明-18Mb 512K x 36200MHz3nsSRAMParallel512KX3636--3.135V20mm1.6mm-ROHS3 CompliantYES100419b18 Mb
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61NLP51236B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP | 对比 |
| IS61LPS51236B-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 100-LQFP | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP | 对比 |
 | 71V30L35TFGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | LQFP | SRAM Chip Async Dual 3.3V 8K-Bit 1K x 8 35ns 64-Pin STQFP | 对比 |
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