IS66WVC2M16ALL-7010BLI备选型号: IS66WVC4M16ALL-7010BLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 电源
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 记忆密度
- 辐射硬化
- 无铅
- IC PSRAM 32M PARALLEL 54VFBGA表面贴装54-VFBGAYES54Volatile-40°C~85°C TATraye1yesDiscontinued3 (168 Hours)543A991.B.2.A锡银铜它还可运行同步突发模式1.8VBOTTOM26010.75mm40不合格1.8V32Mb 2M x 16ASYNCHRONOUSPSRAMParallel2MX163-STATE1670ns0.00015A70 nsCOMMON1.95V1.7V8mm1mm6mmROHS3 Compliant----
- SRAM 64Mb 1.54M x 16 70ns Pseudo SRAM表面贴装54-VFBGA-54Volatile-40°C~85°C TATraye1yesDiscontinued3 (168 Hours)543A991.B.2.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)-1.8VBOTTOM26010.75mm40-1.8V64Mb 4M x 16-PSRAMParallel4MX163-STATE1670ns0.00001A70 nsCOMMON1.95V1.7V8mm1mm6mmROHS3 Compliant表面贴装67108864 bit无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16800F-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 | |
| CY62147EV30LL-45BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | IC, SRAM, 4MBIT, PARALLEL, 45NS, BGA-48 | 对比 | |
![]() | IS66WVC4M16ALL-7010BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-VFBGA | SRAM 64Mb 1.54M x 16 70ns Pseudo SRAM | 对比 |



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