IS66WVC4M16ECLL-7010BLI备选型号: IS66WVE4M16EBLL-70BLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 访问时间(最大)
- 长度
- RoHS状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 输出特性
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 输出启用
- 反向引脚排列
- PSRAM Async/Sync 64M-Bit 4M x 16 70ns 54-Pin VFBGA10 Weeks表面贴装54-VFBGAYES54Volatile-40°C~85°C TCTray活跃3 (168 Hours)541.8VBOTTOM未说明10.75mm未说明64Mb 4M x 161SYNCHRONOUSPSRAMParallel1670ns22b64 Mb70 ns8mmROHS3 Compliant---------
- IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA10 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)482.7V~3.6VBOTTOM26010.75mm1064Mb 4M x 161ASYNCHRONOUSPSRAMParallel1670ns22b64 Mb70 ns8mmROHS3 Compliante1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)3-STATECOMMON2.7V3.6V2.7VNONO
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA | 对比 | |
![]() | JS28F640P33T85A | Micron Technology Inc. | 存储器 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP | 对比 |
![]() | M28W640HCB70N6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP | 对比 |





哦! 它是空的。