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首页 全部分类 IS66WVC4M16ECLL-7010BLI vs M28W640HCB70N6E

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI备选型号: M28W640HCB70N6E

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  • 附加功能
  • HTS代码
  • 基本部件号
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  • 电压
  • 组织结构
  • 待机电流-最大值
  • 同步/异步
  • 字长
  • 数据轮询
  • 拨动位
  • 命令用户界面
  • 扇区/尺寸数
  • 行业规模
  • 页面尺寸
  • 引导模块
  • 通用闪存接口
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS66WVC4M16ECLL-7010BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    PSRAM Async/Sync 64M-Bit 4M x 16 70ns 54-Pin VFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    54-VFBGA
    YES
    54
    Volatile
    -40°C~85°C TC
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    1.8V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.75mm
    未说明
    64Mb 4M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    16
    70ns
    22b
    64 Mb
    70 ns
    8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    M28W640HCB70N6E
    Micron Technology Inc.
    IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
    -
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    YES
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Bulk
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    3V
    DUAL
    260
    1
    0.5mm
    30
    64Mb 4M x 16
    -
    -
    FLASH
    Parallel
    16
    70ns
    22b
    64 Mb
    70 ns
    18.4mm
    ROHS3 Compliant
    Gold, Tin
    18mA
    2008
    e3
    yes
    3A991.B.1.A
    哑光锡
    底部启动区块
    8542.32.00.51
    M28W640
    3/3.3V
    2.7V
    4MX16
    0.000005A
    Asynchronous
    16b
    NO
    NO
    YES
    8127
    4K32K
    4words
    BOTTOM
    YES
    1.2mm
    无
  • 添加型号
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