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首页 全部分类 IS66WVE4M16ECLL-70BLI vs IS42S16800F-6BLI

IS66WVE4M16ECLL-70BLI备选型号: IS42S16800F-6BLI

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  • 包装/外壳
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
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  • JESD-30代码
  • 电源电压-最大值(Vsup)
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  • 内存大小
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  • 内存格式
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  • 座位高度(最大)
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  • 引脚数
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  • 附加功能
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 工作电源电压
  • 电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 数据总线宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 无铅
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS66WVE4M16ECLL-70BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.75mm
    未说明
    R-PBGA-B48
    1.95V
    1.7V
    64Mb 4M x 16
    1
    ASYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    4MX16
    3-STATE
    16
    70ns
    0.00015A
    67108864 bit
    70 ns
    COMMON
    1.7V
    NO
    NO
    8mm
    1.2mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42S16800F-6BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
    6 Weeks
    表面贴装
    54-TFBGA
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    -
    3V~3.6V
    BOTTOM
    -
    1
    0.8mm
    -
    -
    3.6V
    3V
    128Mb 8M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    DRAM
    Parallel
    8MX16
    3-STATE
    16
    -
    0.002A
    -
    -
    COMMON
    -
    -
    -
    8mm
    1.2mm
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    54
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    3.3V
    54
    不合格
    3.3V
    120mA
    166MHz
    5.4ns
    16b
    14b
    128 Mb
    4096
    1248FP
    1248
    无铅
  • 添加型号
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