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首页 全部分类 IS66WVE4M16ECLL-70BLI vs IS62WV12816BLL-55BLI

IS66WVE4M16ECLL-70BLI备选型号: IS62WV12816BLL-55BLI

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • 访问时间（最大）
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 输出启用
  • 反向引脚排列
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • 电源电压
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电流
  • 数据总线宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 同步/异步
  • 字长
  • 辐射硬化
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS66WVE4M16ECLL-70BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
    10 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1.7V~1.95V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.75mm
    未说明
    R-PBGA-B48
    1.95V
    1.7V
    64Mb 4M x 16
    1
    ASYNCHRONOUS
    PSRAM
    Parallel
    4MX16
    3-STATE
    16
    70ns
    0.00015A
    67108864 bit
    70 ns
    COMMON
    1.7V
    NO
    NO
    8mm
    1.2mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS62WV12816BLL-55BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    e1
    活跃
    2 (1 Year)
    48
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    2.5V~3.6V
    BOTTOM
    260
    1
    0.75mm
    40
    -
    3.6V
    2.5V
    2Mb 128K x 16
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    3-STATE
    16
    55ns
    -
    -
    55 ns
    COMMON
    1V
    -
    -
    8mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    48
    yes
    3V
    48
    3.3V
    3mA
    16b
    17b
    2 Mb
    Asynchronous
    16b
    无
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