ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16ECLL-70BLI
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IS66WVE4M16ECLL-70BLI
1266-IS66WVE4M16ECLL-70BLI
存储器
48-TFBGA
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IC PSRAM 64M PARALLEL 48TFBGA
--最小包装量--
IS66WVE4M16ECLL-70BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16ECLL-70BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B48
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
64Mb 4M x 16
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
PSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
4MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
待机电流-最大值
0.00015A
记忆密度
67108864 bit
访问时间(最大)
70 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1.7V
输出启用
NO
反向引脚排列
NO
长度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS66WVE4M16ECLL-70BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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