ISL9V2040D3ST备选型号: ISL9V3040D3ST
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 箝位电压
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- Td(开/关)@25°C
- 栅极-发射极电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 输出的数量
- 电压
- 电流
- 接通延迟时间
- 达到SVHC
- IGBT 430V 10A 130W TO252AA7 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON430V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)EcoSPARK®2017e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95400V130W鸥翼10AISL9V2040R-PSSO-G2Single130WCOLLECTORLogic400V汽车点火装置2.17μsN-CHANNEL1.9V10ATO-252AA430V2780 ns1.9V @ 4V, 6A6000 ns12nC-/3.64μs12V2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅-------
- IGBT 430V 21A 150W TO252AA24 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.36202mgSILICON430V-40°C~175°C TJTape & Reel (TR)EcoSPARK®2017e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99--400V150W鸥翼21AISL9V3040R-PSSO-G2Single150WCOLLECTORLogic-汽车点火装置2.1μsN-CHANNEL390V21ATO-252AA430V2800 ns1.6V @ 4V, 6A7600 ns17nC-/4.8μs-2.39mm6.73mm6.22mm无ROHS3 Compliant无铅Tin1.9V1400V21A4 μs无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGD5NB120SZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 1200V 10A 75W DPAK | 对比 |
![]() | NGTB03N60R2DT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR NGTB03N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGD18N40LZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 420V 25A 125W DPAK | 对比 |





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