ON Semiconductor ISL9V3040D3ST
- 收藏
- 对比
ISL9V3040D3ST
1807-ISL9V3040D3ST
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

IGBT 430V 21A 150W TO252AA
--最小包装量--
ISL9V3040D3ST详情
ON Semiconductor ISL9V3040D3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.36202mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
430V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 1k Ω, 5V
Turn Off Delay Time
15 μs
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
EcoSPARK®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
400V
最大功率耗散
150W
终端形式
鸥翼
额定电流
21A
基本部件号
ISL9V3040
JESD-30代码
R-PSSO-G2
输出的数量
1
电压
400V
元素配置
Single
电流
21A
功率耗散
150W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
接通延迟时间
4 μs
晶体管应用
汽车点火装置
上升时间
2.1μs
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
390V
最大集电极电流
21A
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大击穿电压
430V
接通时间
2800 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.6V @ 4V, 6A
关断时间-标准值(toff)
7600 ns
闸门收费
17nC
Td(开/关)@25°C
-/4.8μs
高度
2.39mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ISL9V3040D3ST拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor









哦! 它是空的。