ON Semiconductor NGTB03N60R2DT4G

工厂交货时间

27 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

Test Conditions

300V, 3A, 30 Ω, 15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

已出版

2017

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

175°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

49W

Reach合规守则

not_compliant

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

49W

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

9A

反向恢复时间

65 ns

最大击穿电压

600V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 3A

闸门收费

17nC

集极脉冲电流（Icm）

12A

Td（开/关）@25°C

27ns/59ns

开关能量

50μJ (on), 27μJ (off)

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.38mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅