STMicroelectronics STGD18N40LZT4
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STGD18N40LZT4
2381-STGD18N40LZT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 420V 25A 125W DPAK
--最小包装量--
STGD18N40LZT4详情
STMicroelectronics STGD18N40LZT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
350.003213mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
420V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 10A, 5V
Turn Off Delay Time
13.5 s
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
电压箝位
最大功率耗散
125W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STGD18
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
接通延迟时间
650 ms
功率 - 最大
125W
晶体管应用
汽车点火装置
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
360V
最大集电极电流
25A
最大击穿电压
420V
接通时间
4450 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.7V @ 4.5V, 10A
关断时间-标准值(toff)
22200 ns
闸门收费
29nC
集极脉冲电流(Icm)
40A
Td(开/关)@25°C
650ns/13.5μs
栅极-发射极电压-最大值
16V
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGD18N40LZT4拓展信息
STMicroelectronics
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