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首页 全部分类 IXA60IF1200NA vs APT75GN120JDQ3

IXA60IF1200NA备选型号: APT75GN120JDQ3

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
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  • 无铅
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  • 输入电容
  • 连续集电极电流
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • IXYS
    IXA60IF1200NA
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA60IF1200NA IGBT Single Transistor, 88 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, SOT-227B, 4 Pins
    16 Weeks
    Chassis, Screw, Stud, Surface Mount
    Chassis, Stud Mount
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    2010
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    NICKEL
    UL 认证
    290W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    290W
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    88A
    350 ns
    100μA
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    350 ns
    PT
    无
    20V
    6.5V
    9.6mm
    38.23mm
    25.25mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT75GN120JDQ3
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
    29 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    379W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    -
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    124A
    -
    200μA
    1200V
    101 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    925 ns
    沟渠现场停车
    无
    30V
    -
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    30.000004g
    4.8nF
    124A
    4.8nF @ 25V
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