IXA60IF1200NA
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IXYS IXA60IF1200NA

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型号

IXA60IF1200NA

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXA60IF1200NA

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IXYS SEMICONDUCTOR IXA60IF1200NA IGBT Single Transistor, 88 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, SOT-227B, 4 Pins

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IXA60IF1200NA IXYS IXYS SEMICONDUCTOR IXA60IF1200NA IGBT Single Transistor, 88 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, SOT-227B, 4 Pins

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IXA60IF1200NA详情

IXYS IXA60IF1200NA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    Chassis, Screw, Stud, Surface Mount

  • 安装类型

    Chassis, Stud Mount

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2kV

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.1V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 已出版

    2010

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    NICKEL

  • 附加功能

    UL 认证

  • 最大功率耗散

    290W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 引脚数量

    4

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    290W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.2kV

  • 最大集电极电流

    88A

  • 反向恢复时间

    350 ns

  • 最大集极截止电流

    100μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 接通时间

    110 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.1V @ 15V, 50A

  • 关断时间-标准值(toff)

    350 ns

  • IGBT类型

    PT

  • NTC热敏电阻

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    6.5V

  • 高度

    9.6mm

  • 长度

    38.23mm

  • 宽度

    25.25mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

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