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首页 全部分类 IXA60IF1200NA vs HGT1N30N60A4D

IXA60IF1200NA备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • IXYS
    IXA60IF1200NA
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXA60IF1200NA IGBT Single Transistor, 88 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, SOT-227B, 4 Pins
    16 Weeks
    Chassis, Screw, Stud, Surface Mount
    Chassis, Stud Mount
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -40°C~150°C TJ
    2010
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    NICKEL
    UL 认证
    290W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    Single
    290W
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    88A
    350 ns
    100μA
    1200V
    110 ns
    2.1V @ 15V, 50A
    350 ns
    PT
    无
    20V
    6.5V
    9.6mm
    38.23mm
    25.25mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    -
    600V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    255W
    -
    -
    -
    Single
    225W
    -
    -
    -
    Standard
    600V
    96A
    -
    250μA
    -
    -
    2.7V @ 15V, 30A
    -
    -
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    600V
    96A
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