IXBF50N360备选型号: IXBX50N360HV
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- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- RoHS状态
- IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK10 Weeks通孔通孔i4-Pac™-5 (3 Leads)3.6kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2014不用于新设计1 (Unlimited)290WunknownStandard290W2.9V70A1.7 μs3600V2.9V @ 15V, 50A210nC420A46ns/205nsROHS3 Compliant
- IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS24 Weeks通孔通孔TO-247-3 Variant3.6kV-55°C~150°C TJTubeBIMOSFET™2016活跃1 (Unlimited)660WunknownStandard660W2.9V125A1.7 μs3600V2.9V @ 15V, 50A210nC420A46ns/205nsROHS3 Compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXBH20N360HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 Variant | IGBT 3600V 70A TO-247HV | 对比 |
![]() | IXBX50N360HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 Variant | IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS | 对比 |





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