IXYS IXBF50N360

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

3.6kV

Test Conditions

960V, 50A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2014

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

290W

Reach合规守则

unknown

输入类型

Standard

功率 - 最大

290W

集电极发射器电压(VCEO)

2.9V

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

1.7 μs

电压 - 集射极击穿（最大值）

3600V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 15V, 50A

闸门收费

210nC

集极脉冲电流（Icm）

420A

Td（开/关）@25°C

46ns/205ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant