IXBX50N360HV详情
IXYS IXBX50N360HV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
24 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3 Variant
Collector-Emitter Breakdown Voltage
3.6kV
Test Conditions
960V, 50A, 5 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
BIMOSFET™
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
660W
Reach合规守则
unknown
输入类型
Standard
功率 - 最大
660W
集电极发射器电压(VCEO)
2.9V
最大集电极电流
125A
反向恢复时间
1.7 μs
电压 - 集射极击穿(最大值)
3600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.9V @ 15V, 50A
闸门收费
210nC
集极脉冲电流(Icm)
420A
Td(开/关)@25°C
46ns/205ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IXBX50N360HV拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS












哦! 它是空的。