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首页 全部分类 IXBH40N160 vs FGH15T120SMD-F155

IXBH40N160备选型号: FGH15T120SMD-F155

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 反向恢复时间
  • IGBT类型
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • IXYS
    IXBH40N160
    IXYS
    IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.6kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    BIMOSFET™
    2006
    yes
    活跃
    不适用
    3
    BIPOLAR MOS TRANSISTOR WITH COLLECTOR-EMITTER ON RESISTANCE OF 0.24 OHMS
    1.6kV
    350W
    33A
    3
    Single
    350W
    COLLECTOR
    Standard
    MOTOR CONTROL
    60ns
    N-CHANNEL
    1.6kV
    33A
    TO-247AD
    1600V
    260 ns
    7.1V @ 15V, 20A
    310 ns
    130nC
    40A
    20V
    6 V
    6V
    700ns
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH15T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 30A 333W TO247-3
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    333W
    -
    -
    Single
    333W
    -
    Standard
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    30A
    -
    1200V
    -
    2.4V @ 15V, 15A
    -
    128nC
    60A
    25V
    -
    7.5V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1.9V
    72ns
    沟渠现场停车
    32ns/490ns
    1.15mJ (on), 460μJ (off)
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