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首页 全部分类 IXBH42N170 vs IXBH16N170

IXBH42N170备选型号: IXBH16N170

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  • 接通时间
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  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率 - 最大
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXBH42N170
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    BIMOSFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    不适用
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.7kV
    360W
    未说明
    75A
    未说明
    IXB*42N170
    3
    不合格
    Single
    360W
    COLLECTOR
    Standard
    45 ns
    电源控制
    35ns
    N-CHANNEL
    1.7kV
    80A
    1.32μs
    1700V
    224 ns
    2.8V @ 15V, 42A
    1070 ns
    188nC
    300A
    20V
    5.5V
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • IXYS
    IXBH16N170
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 40A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    BIMOSFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    不适用
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.7kV
    250W
    -
    16A
    -
    -
    3
    -
    Single
    150W
    COLLECTOR
    Standard
    15 ns
    电源控制
    25ns
    N-CHANNEL
    1.7kV
    40A
    1.32 μs
    1700V
    220 ns
    3.3V @ 15V, 16A
    940 ns
    72nC
    120A
    20V
    5.5V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    250W
    无
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